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磁珠磁环

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EMI吸收磁性材料采用高频段具有良好阻抗特性的铁氧体材料烧结而成，专用于抑制信号线、电源线上的噪声和尖峰干扰，同时它具有吸收静电脉冲能力，使电子设备达到电磁兼容（EMI/EMC）和静电放电（ESD）的相应国家标准。 EMI吸收磁环/磁珠的吸收干扰能力是用其阻抗特性来表征的。在低频段呈现非常低的感性阻抗值，不影响数据线或信号线上有用信号的传输。在高频段，约在10MHZ左右开始，阻抗增大，其感抗分量保持很小，电阻性分量却迅速增加，当有高频能量穿过磁性材料时，电阻分量就会把这些干扰能量转化为热能量耗散掉。

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EMI吸收磁性材料

EMI吸收磁性材料采用高频段具有良好阻抗特性的铁氧体材料烧结而成，专用于抑制信号线、电源线上的噪声和尖峰干扰，同时它具有吸收静电脉冲能力，使电子设备达到电磁兼容（EMI/EMC）和静电放电（ESD）的相应国家标准。

EMI吸收磁环/磁珠的吸收干扰能力是用其阻抗特性来表征的。它的阻抗特性基本形态见图2-1。

在低频段呈现非常低的感性阻抗值，不影响数据线或信号线上有用信号的传输。

图2-1

在高频段，约在10MHZ左右开始，阻抗增大，其感抗分量保持很小，电阻性分量却迅速增加，当有高频能量穿过磁性材料时，电阻分量就会把这些干扰能量转化为热能量耗散掉。吸收磁性材料正是利用了这一特性有效地吸收了EMI高频干扰。

吸收磁性材料的性能，通常时比较25MHZ和100MHZ处的初阻抗值.

EMI吸收磁珠

EMI吸收磁珠专用于单根导线上干扰抑制，它具有两种常用形式：单孔珠和多孔珠。

从干扰抑制效果上看，长单孔珠B62优于短单孔珠A62，多孔珠S62的效果最好，尤其在低频端，双单孔珠R62次之。规格尺寸见图。

型号	A	B	C	D	电阻值(Ω)
型号	A	B	C	D	25MHZ	50MHZ	100MHZ
12-A62	3.50±0.2	63.00	6.00±0.2	0.80±0.10	50	-	90
12-B62	3.50±0.2	63.00	9.00±0.3	0.80±0.10	70	-	120
12--R62	3.50±0.2	-	7.50±0.3	0.80	100	-	130
12-S62	5.00±0.2	0.85	10.00±0.4	3.5	320	680	580

注：线径Φ0.50，S62为多孔珠，R62为双珠。

EMI吸收磁环

专用于多股线缆上的干扰抑制，使用时可将一根多芯线缆穿于其中，多穿几次可加强其效果，但应注意防止饱和。规格尺寸见图。

尺寸规格

单位：mm

型号	A	B	C	阻抗值(Ω)
型号	A	B	C	25MHZ	100MHZ
11-Z62	3.50±0.20	1.30±0.10	3.00±0.30	20	30
11-Z64	6.00±0.30	3.00±0.20	2.00±0.20	12	20
11-Z69	5.00±0.20	2.39±0.15	5.00±0.30	18	32
11-M245	9.50±0.30	5.80±0.20	10.4±0.30	44	61
11-M246	14.20±0.30	6.35±0.20	28.50±0.50	150	200
11-M248	17.50±0.30	9.50±0.30	28.50±0.50	100	150
11-M249	20.00±0.40	10.00±0.30	10.00±0.50	40	70
11-A625	25.00±0.50	15.00±0.30	12.00±0.40	50	80
11-A637	28.50±0.50	14.00±0.30	28.50±0.50	450	600

用同一种磁性材料制成不同型号的磁环、磁珠具有类似的特性，在条件允许的情况下，体积大的阻抗值会大。

带安装夹EMI吸收环用于定型生产后设备EMI性能改进。可方便拆卸，在测试样机和售后补救中非常方便适用。由于磁环体本身不封闭，所以性能与同体磁环比较略有下降。

型号	A	B	C	D	电阻值(Ω)
型号	A	B	C	D	25MHZ	100MHZ
13-F065	19.5±0.5	19.00±0.50	6.5±0.40	32.0±1.0	170	350
13-F100	22.50±1.00	23.50±1.00	10.00±0.50	23.00±1.00	104	224
13-F130	31.5±1.0	30.00±1.00	13.5±0.50	33.0±1.0	130	300

型号	A	B	C	D	电阻值(π)
型号	A	B	C	D	25MHZ	100MHZ
13-F065	19.5±0.5	19.00±0.50	6.5±0.40	32.0±1.0	170	350
13-F100	22.50±1.00	23.50±1.00	10.00±0.50	23.00±1.00	104	224
13-F130	31.5±1.0	30.00±1.00	13.5±0.50	33.0±1.0	130	300

EMI磁性端子

为了便于线路连接处的干扰能够被有效抑制，接线端子型吸收磁环不仅解决了导线连接的问题，而且高效吸收导线上的高频串扰。这种形式的磁环一般使用在PCB板上的电源入口处或者信号出、入口（应考虑信号频率与磁性材料的吸收频率的关系）。干扰抑制效果明显，特别是对于多组线路出入的情况更是能够有效的节省PCB板上的空间，非常适用于目前小型化和功能复杂的电子设备。

性能参数

型号	A	B	D	P1	P2	EC	F	插入损耗(Ω)
型号	A	B	D	P1	P2	EC	F	25MHZ	100MHZ
14-SMF11	7.6	5	10	2.54	2.54	0.65	5.0	200	245
14-SMF22	11	11	10	7.62	2.54	0.65	3.5	250	350

表面贴装（SMT）EMI元件

适应元器件的发展，EMI吸收磁环/珠夜游表面贴装形式，技术规格如下表：

型号	A	B	C	D	Rdc(mΩ)	插入损耗(Ω)
型号	A	B	C	D	Rdc(mΩ)	25MHZ	100MHZ
15-SMT1	3.05±0.15	1.45±0.1	2.55±0.15	4.05±0.25	0.6	30	56
15-SMT2	3.05±0.15	1.45±0.1	2.55±0.15	8.5±0.3	0.9	30	56

连接器用EMI磁片

用于连接器上EMI干扰的抑制，具有空间要求小、多孔抑制、安装方便等多种优点，但需与专用连接器配合使用。

目前标准产品为9芯、15芯和25芯。

技术规格

型号	A	B	C	D	电阻值(Ω)
型号	A	B	C	D	25MHZ 100MHZ
16-9C	14.5±0.2	7.6±0.2	1.57±0.1	1.8±0.1	23	43
16-15C	22.5±0.3	7.6±0.2	1.57±0.1	1.8±0.1	40	60
16-25C	36.4±0.4	7.6±0.2	1.57±0.1	1.8±0.1	24	45

扁平吸收磁环

专为扁平电缆而设计，具有多种规格，以适应不同的芯线数。特殊规格请查询。

型号	A	B	C	D	E	电阻值(Ω)
型号	A	B	C	D	E	25MHZ 100MHZ
17-B15C	23.8±08	6.3±0.5	19.5±0.5	15.0±0.7	1.1±0.2	40	100
17-B20C	33.5±10	6.3±0.3	27.0±0.4	15.0±0.3	1.4±0.2	25	70
17-B25C	40 0±1.0	6.3±0.3	35.0±1.0	12.0±0.5	1.3±0.3	30	80
17-B35C	64.0±10	13.0±0.3	52.5±0.5	12.0±0.4	1.6±0.3	32	100